Samsung-un 12 qatlı HBM4E yaddaşları AI bazarında öncülüyü təmin edir
Samsung 12 qatlı HBM4E yaddaş nümunələrini əsas müştərilərinə göndərməyə başlayıb. Bu məhsul AI üçün yüksək yaddaş bant genişliyi və enerji səmərəliliyi təklif edir.
Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) mayın 29-da 12 qatlı HBM4E nümunələrinin əsas qlobal müştərilərə göndərilməsinə başladığını açıqlayıb. Məhsul dil pinləri üçün 14 Gbps sabit sürət, 16 Gbps-ə qədər yüksəldilə bilən bant genişliyi və hər stəkdən 3,6 TB/s yaddaş keçid qabiliyyəti təklif edir ki, bu da böyük dil modelləri və yeni nəsil AI sistemləri üçün əhəmiyyətlidir.
Şirkət qeyd edib ki, 48GB-lıq variant əvvəlkinə nisbətən 30 faizdən çox əlavə tutum təqdim edir, enerji səmərəliliyi və istilik müqaviməti isə müvafiq olaraq 16 və 14 faizdən çox yaxşılaşıb. Samsung həmçinin yaddaş, foundry, məntiq dizaynı və qabaqcıl paketləmə funksiyalarını birləşdirir, HBM4E üçün 1c DRAM prosesi və 4 nm məntiq bazası tətbiq edir. Son maliyyə rübünə görə gəlirlər AI yaddaş tələbindən, yüksək dəyərli yarımkeçirici məhsullardan və sıx təklif şəraitindən 69 faiz yüksəlib.
Samsung Electronics Co., Ltd. (OTC:SSNLF) Cənubi Koreya mərkəzli texnologiya şirkətidir və yaddaş çipləri, foundry məhsulları, sistem yarımkeçiriciləri, smartfonlar, displeylər, məişət texnikası, şəbəkə avadanlıqları və istifadəçi elektronikasını istehsal edir.
Yahoo Finance
Why Samsung Electronics’ (SSNLF) 12-Layer HBM4E Push Matters for Its AI Memory Position
Orijinal məqaləyə keç